SJ 50033.70-1995 半导体分立器件.PIN35系列PIN二极管详细规范
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ID： |
8B60B6458009467B86415728BFD81738 |
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文件大小(MB)： |
0.34 |
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页数： |
8 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/70-1995,半导体分立器件,PIN35系列PIN二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification of type PIN35 series for PIN diode,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,PIN35系列PIN二极管详细规范,SJ 50033/70-1995,Semiconductor discrete device,Detail specification of type PIN35 series for PIN diode,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 PIN 35系列PIN二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范”,3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级。分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 6570—86微波二极管测试方法,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试脸方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜,表面涂层应为金,3.2,2 器件结构,外延台面、玻璃钝化、多层金属化电极、芯片上引线果用金せ热压焊,下面电极与柱体烧,结,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸如图1,中华人民共和国电子工业部!995-05-25发布 !995-12^0I实施,一 エ 一,$J 50033/70-1995,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,型 号,も,(V),尸,（帝）,T*,(V) （匕）,PIN 351 .PIN 353 50,1 -55 .125 1 650* 175,PIN 354-PIN 356,注:1）最大脉冲功率处理能力（典型值）,3.3.2 主耍电特性= 25匕）,型号,Ir,Vr = 50V,(对PIN 351,-PIN 353),Vr = 300V,(对 PIN 354,.PIN 356),SA),Cm,= 50V,(pF),r,iF= 100mA,/= lOkFfe,⑻,J,及 二 10mA,fK = 100mA,(ps),ra,片100MHヨ,1= 100mA,典型值,(n),脉宽!0ms,加热电流,0.5A,典型值,（r/w）,C,典型值,（pF）,L,典型值,(nH),PIN 351,5,4.06,C2 <5 3 150 ^0.03 0.15,PIN 352 co. OS,PIN 353 co. 10,PIN 354 这 0.06,PIN 355 <0.08,PIN 356 <0.10,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,包装盒上的标志应符合GJB 33的规定。器件上不打标志,极性按图1的规定,4质畳保证规定,—2 -,下载,SJ 50033/70-1995,4.!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,(见 GJB 33 - 2),试验方法,GJB 128,方 法,测试和试验,3热冲击,4恒定加速度,5密封,7中间测试,8电老化,9最后测试,1051,1038,除循环20次外,其余同试验条件艮,不要求,不要求,Ir、。储、r,见 4.3.1,丨Ari丒初始值的15%,初始值的15%,其他蓼数;按本规范表1和A2分组,4.3.1 电老化,ら=125じ,匹=20mA,4.4 质量一致性检验,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4 2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检験应按GJB 33和本规范表3的规定进行°,4.5检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应表的规定,3,SJ 50033/70-1995,表1 A组检验,检验或试验,GB 6570,LTPD 符号,极限值,単位,方法条 件最小值最大值,Al公组,外观和机械试验,GJB 28,2071,5,A2分组,总电容,PIN 35〕,PIN 354,8 2,VR = 5OV,f=lMIL:,5,5,Ctst,0.06,pF,PIN 352,PIN 355,— 0.08,PIN 353,PIN 336,— 0.10,反向电流,PIN 351 .353,PIN 354-356,3.2,3 5UV,Vr = 300V,Ir — 5 的,正向微分电阻8.3 IF-100mA,f=10kHz r — 2 n,A3分组,高温工作,反向电流,PIN 351-353,PIN 354 .356,低温工作,反向电流,PIN 351-353,PIN 354-356,3.2,3.2,Ta = 125V,Vr = 3OV,330UV,TA = "55 V,Vr = 50V,課二 300 V,ム,一10,1,僖,百,A4分组,反……
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